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Wafer sic epitassiale

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Cina 4 pollici 4H-SiC Substrato P-livello SI 500.0±25.0μm MPD≤5/cm2 Resistenza≥1E5Ω·cm in vendita

4 pollici 4H-SiC Substrato P-livello SI 500.0±25.0μm MPD≤5/cm2 Resistenza≥1E5Ω·cm

Prezzo: Negotiable
MOQ: Negotiable
Tempo di consegna: 3-4 week days
Marca: GaNova
Evidenziare:Substrato 4H-SiC di livello P, Substrato a microonde 4H-SiC, 4 pollici di substrato 4H-SiC
SI 500.0±25.0μm MPD≤5/cm2 Resistivity≥1E5Ω di livello P del substrato di JDCD03-002-002 4inch 4H-SiC·cm per i dispositivi di a microonde e di potere Panoramica Sic è usato per la lavorazione dei dispositivi molto ad alta tensione ed ad alta potenza quali i diodi, i transistor di potenza e... Visualizza di più
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Cina 4 pollici 4H-SiC Substrato P-Livello SI 500.0±25.0μM MPD≤0.3/Cm2 Resistenza≥1E9Ω·Cm Per potenza a microonde in vendita

4 pollici 4H-SiC Substrato P-Livello SI 500.0±25.0μM MPD≤0.3/Cm2 Resistenza≥1E9Ω·Cm Per potenza a microonde

Prezzo: Negotiable
MOQ: Negotiable
Tempo di consegna: 3-4 week days
Marca: GaNova
Evidenziare:Substrato a microonde 4H-SiC, 4 pollici 4H-SiC Substrato, Livello P del substrato 4H-SiC
JDCD03-002-001 Substrato 4H-SiC da 4 pollici Livello P SI 500,0±25,0μm MPD≤0,3/cm2 Resistività≥1E9Ω·cm per dispositivi di alimentazione e microonde     Panoramica Il SiC ha una conduttività termica più elevata rispetto a GaAs o Si, il che significa che i dispositivi SiC possono teoricamente funz... Visualizza di più
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Cina Substrato 4H-SiC da 4 pollici Livello P Tipo N 350,0±25,0μM MPD≤0,5/Cm2 Resistività 0,015Ω•Cm—0,025Ω•Cm in vendita

Substrato 4H-SiC da 4 pollici Livello P Tipo N 350,0±25,0μM MPD≤0,5/Cm2 Resistività 0,015Ω•Cm—0,025Ω•Cm

Prezzo: Negotiable
MOQ: Negotiable
Tempo di consegna: 3-4 week days
Marca: GaNova
Evidenziare:4inch SiC Substrate
Substrato 4H-SiC da 4 pollici Livello D Tipo N 350,0±25,0μm MPD≤5/cm2 Resistività 0,015Ω•cm—0,025Ω•cm per dispositivi di alimentazione e microonde     Panoramica Dispositivi ad alta temperatura Poiché il SiC ha un'elevata conduttività termica, il SiC dissipa il calore più rapidamente rispetto a... Visualizza di più
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Cina Dispositivo di potenza da 2 pollici Transistor ad alta mobilità elettronica Wafer epitaxiale in vendita

Dispositivo di potenza da 2 pollici Transistor ad alta mobilità elettronica Wafer epitaxiale

Prezzo: Negotiable
MOQ: 5
Tempo di consegna: Negotiable
Marca: Ganova
Evidenziare:sic epitaxial wafer 2 Inch, Power Device sic epitaxial wafer, High Electron Mobility Transistor Epitaxial Wafer
Introduction to GaN on Silicon HEMT Epi wafer Silicon based gallium nitride HEMT epitaxial wafer is a high electron mobility transistor (HEMT) epitaxial wafer based on gallium nitride (GaN) material. Its structure mainly includes AlGaN barrier layer, GaN channel layer, AlN buffer layer, and silicon ... Visualizza di più
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Cina 2 pollici di GaN su wafer Epi HEMT di silicio per dispositivo di alimentazione in vendita

2 pollici di GaN su wafer Epi HEMT di silicio per dispositivo di alimentazione

Prezzo: Negotiable
MOQ: 5
Tempo di consegna: Negotiable
Marca: Ganova
Evidenziare:GaN On Silicon HEMT Epi Wafer, 2 Inch Epi Wafer, Power Device Epi Wafer
Introduction to GaN on Silicon HEMT Epi wafer Silicon based gallium nitride HEMT epitaxial wafer is a high electron mobility transistor (HEMT) epitaxial wafer based on gallium nitride (GaN) material. Its structure mainly includes AlGaN barrier layer, GaN channel layer, AlN buffer layer, and silicon ... Visualizza di più
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Cina Barriera AlGaN 4 pollici GaN sul silicio HEMT Epi wafer nitruro di gallio GaN-on-Si in vendita

Barriera AlGaN 4 pollici GaN sul silicio HEMT Epi wafer nitruro di gallio GaN-on-Si

Prezzo: Negotiable
MOQ: 5
Tempo di consegna: Negotiable
Marca: Ganova
Evidenziare:4 inch sic epitaxial wafer, 4 inch sic epi wafer, 4 inch sic epi wafers
Introduction to GaN on Silicon HEMT Epi wafer Silicon based gallium nitride HEMT epitaxial wafer is a high electron mobility transistor (HEMT) epitaxial wafer based on gallium nitride (GaN) material. Its structure mainly includes AlGaN barrier layer, GaN channel layer, AlN buffer layer, and silicon ... Visualizza di più
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Cina 6 pollici GaN sul silicio HEMT Epi Wafer Power Device Gallium Nitride GaN sul Si in vendita

6 pollici GaN sul silicio HEMT Epi Wafer Power Device Gallium Nitride GaN sul Si

Prezzo: Negotiable
MOQ: 5
Tempo di consegna: Negotiable
Marca: Ganova
Evidenziare:6 Inch sic epitaxial wafer, 6 Inch sic epi wafer, 6 Inch sic epi wafers
Introduction to GaN on Silicon HEMT Epi wafer Silicon based gallium nitride HEMT epitaxial wafer is a high electron mobility transistor (HEMT) epitaxial wafer based on gallium nitride (GaN) material. Its structure mainly includes AlGaN barrier layer, GaN channel layer, AlN buffer layer, and silicon ... Visualizza di più
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Cina GaN laser viola sul silicio 2 pollici GaN sul silicio HEMT Epi wafer UV LD Epi wafer in vendita

GaN laser viola sul silicio 2 pollici GaN sul silicio HEMT Epi wafer UV LD Epi wafer

Prezzo: Negotiable
MOQ: 5
Tempo di consegna: Negotiable
Marca: Ganova
Evidenziare:2 inch sic epitaxial wafer, 2 inch sic epi wafer, 2 inch sic epi wafers
Introduction to GaN on Silicon HEMT Epi wafer Silicon based gallium nitride HEMT epitaxial wafer is a high electron mobility transistor (HEMT) epitaxial wafer based on gallium nitride (GaN) material. Its structure mainly includes AlGaN barrier layer, GaN channel layer, AlN buffer layer, and silicon ... Visualizza di più
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Cina 2 pollici di GaN sul silicone Blu LD Epi Wafer GaN laser blu sul silicio in vendita

2 pollici di GaN sul silicone Blu LD Epi Wafer GaN laser blu sul silicio

Prezzo: Negotiable
MOQ: 5
Tempo di consegna: Negotiable
Marca: Ganova
Evidenziare:2 inch sic epitaxial wafer, 2 inch sic epi wafer, 2 inch sic epi wafers
Introduction to GaN on Silicon HEMT Epi wafer Silicon based gallium nitride HEMT epitaxial wafer is a high electron mobility transistor (HEMT) epitaxial wafer based on gallium nitride (GaN) material. Its structure mainly includes AlGaN barrier layer, GaN channel layer, AlN buffer layer, and silicon ... Visualizza di più
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Cina LED blu GaN sul Wafer di silicio GaN laser blu Wafer epitexiale in vendita

LED blu GaN sul Wafer di silicio GaN laser blu Wafer epitexiale

Prezzo: Negotiable
MOQ: 5
Tempo di consegna: Negotiable
Marca: Ganova
Evidenziare:Silicon Based Gallium Nitride Epitaxial Wafer, HEMT epitaxial wafer, 4 inch sic epitaxial wafer
Introduction to GaN on Silicon HEMT Epi wafer Silicon based gallium nitride HEMT epitaxial wafer is a high electron mobility transistor (HEMT) epitaxial wafer based on gallium nitride (GaN) material. Its structure mainly includes AlGaN barrier layer, GaN channel layer, AlN buffer layer, and silicon ... Visualizza di più
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Cina 2 pollici di GaN sul silicio verde LED Epi wafer Gallio nitruro sul silicio in vendita

2 pollici di GaN sul silicio verde LED Epi wafer Gallio nitruro sul silicio

Prezzo: Negotiable
MOQ: 5
Tempo di consegna: Negotiable
Marca: Ganova
Evidenziare:2 inch sic epitaxial wafer, 2 inch sic epi wafer, 2 inch sic epi wafers
Introduction to GaN on Silicon Green LED Epi wafer GaN on Silicon Green LED Epi wafer are semiconductor structures formed on silicon substrate materials through epitaxial growth technology for manufacturing green light-emitting diodes (LEDs). It is a key intermediate material in the manufacturing of... Visualizza di più
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Cina 4 pollici di GaN su wafer Epi LED verde di silicio in vendita

4 pollici di GaN su wafer Epi LED verde di silicio

Prezzo: 1000
MOQ: 5
Tempo di consegna: Negotiable
Marca: Ganova
Evidenziare:4 inch sic epitaxial wafer, 4 inch sic epi wafer, 4 inch sic epi wafers
Introduction to GaN on Silicon Green LED Epi wafer GaN on Silicon Green LED Epi wafer are semiconductor structures formed on silicon substrate materials through epitaxial growth technology for manufacturing green light-emitting diodes (LEDs). It is a key intermediate material in the manufacturing of... Visualizza di più
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Cina 4 pollici di GaN su wafer Epi LED verde di silicio in vendita

4 pollici di GaN su wafer Epi LED verde di silicio

Prezzo: 1000
MOQ: 5
Tempo di consegna: Negotiable
Marca: Ganova
Evidenziare:4 inch sic epitaxial wafer, 4 inch sic epi wafer, 4 inch sic epi wafers
Introduction to GaN on Silicon Green LED Epi wafer GaN on Silicon Green LED Epi wafer are semiconductor structures formed on silicon substrate materials through epitaxial growth technology for manufacturing green light-emitting diodes (LEDs). It is a key intermediate material in the manufacturing of... Visualizza di più
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Cina 4 pollici di uGaN sul nitruro di gallio di silicio non dopato sul Wafer Epitaxial di silicio in vendita

4 pollici di uGaN sul nitruro di gallio di silicio non dopato sul Wafer Epitaxial di silicio

Prezzo: 1000
MOQ: 5
Tempo di consegna: Negotiable
Marca: Ganova
Evidenziare:4 inch sic epitaxial wafer, 4 inch sic epi wafer, 4 inch sic epi wafers
Introduction to GaN on Silicon Green LED Epi wafer GaN on Silicon Green LED Epi wafer are semiconductor structures formed on silicon substrate materials through epitaxial growth technology for manufacturing green light-emitting diodes (LEDs). It is a key intermediate material in the manufacturing of... Visualizza di più
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Cina wafer sic epitassiale di 150.0mm +0mm/-0.2mm nessun piano secondario 3mm in vendita

wafer sic epitassiale di 150.0mm +0mm/-0.2mm nessun piano secondario 3mm

Prezzo: Negotiable
MOQ: Negotiable
Tempo di consegna: 3-4 week days
Marca: GaNova
Evidenziare:150.0 mm SiC Epitaxial Wafer, silicon carbide wafer 3mm, SiC Epitaxial Wafer No Secondary Flat
JDCD03-001-003 Overview SiC boules (crystals) are grown, machined into ingots, and then sliced into substrates, which are subsequently polished. A thin SiC epitaxial layer is then grown on top of this substrate to create an epi-wafer. Today, the semiconductor industry is expanding at a rapid rate, w... Visualizza di più
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Cina 47,5 millimetri di ± un wafer sic epitassiale 150,0 millimetro +0mm/-0.2mm to<11-20>±1° parallelo da 1,5 millimetri in vendita

47,5 millimetri di ± un wafer sic epitassiale 150,0 millimetro +0mm/-0.2mm to<11-20>±1° parallelo da 1,5 millimetri

Prezzo: Negotiable
MOQ: Negotiable
Tempo di consegna: 3-4 week days
Marca: GaNova
Evidenziare:446mm SiC Epitaxial Wafer, 4 H epitaxial silicon wafer, UKAS SiC Epitaxial Wafer
47.5 mm ± 1.5 mm SiC Epitaxial Wafer 150.0 mm +0mm/-0.2mm Parallel to±1° JDCD03-001-003 Overview Currently, there are two main types of SiC wafers. The first type is the polished wafer, which is a single silicon carbide disc. It is made of high-purity SiC crystals, and can be 100mm or 150mm in diame... Visualizza di più
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Cina 4H wafer sic epitassiale ≤0.2 /cm2 0.015Ω•cm-0.025Ω•cm 150,0 millimetro +0mm/-0.2mm in vendita

4H wafer sic epitassiale ≤0.2 /cm2 0.015Ω•cm-0.025Ω•cm 150,0 millimetro +0mm/-0.2mm

Prezzo: Negotiable
MOQ: Negotiable
Tempo di consegna: 3-4 week days
Marca: GaNova
Evidenziare:4H SiC Epitaxial Wafer, silicon carbide wafer ISO9001, SiC Epitaxial Wafer 0.2 /Cm2
4H SiC Epitaxial Wafer ≤0.2 /Cm2 0.015Ω•Cm—0.025Ω•Cm 150.0 mm +0mm/-0.2mm JDCD03-001-004 Overview The 200-mm wafers can be used for a variety of applications. These wafers are 50% thinner than the standard silicon wafer, so the 200-mm diameter can be used for more SiC devices. The 200-mm size is muc... Visualizza di più
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Cina 4H wafer sic epitassiale 0.015Ω•cm-0.025Ω•² 150,0 millimetro +0mm/-0.2mm di cm ≤4000/cm in vendita

4H wafer sic epitassiale 0.015Ω•cm-0.025Ω•² 150,0 millimetro +0mm/-0.2mm di cm ≤4000/cm

Prezzo: Negotiable
MOQ: Negotiable
Tempo di consegna: 3-4 week days
Marca: GaNova
Evidenziare:4H SiC Epitaxial Wafer, silicon epi wafer 0.025Ω•Cm, SiC Epitaxial Wafer 0.015Ω•Cm
4H SiC Epitaxial Wafer 0.015Ω•cm—0.025Ω•cm ≤4000/cm2 150.0 mm +0mm/-0.2mm JDCD03-001-003 Overview The next type is beta silicon carbide. Beta SiC is produced at temperatures higher than 1700 degrees Celsius. Alpha carbide is the most common, and has a hexagonal crystal structure similar to Wurtzite.... Visualizza di più
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Cina Substrato SiC da 2 pollici di livello P per dispositivi di alimentazione e dispositivi a microonde in vendita

Substrato SiC da 2 pollici di livello P per dispositivi di alimentazione e dispositivi a microonde

Prezzo: Negotiable
MOQ: Negotiable
Tempo di consegna: 3-4 week days
Marca: GaNova
Evidenziare:P Level SiC Substrate, Microwave Devices silicon carbide substrate, 2 Inch SiC Substrate
P-Level 4H-N/SI260um±25um 2-Inch SiC Substrate For Power Devices And Microwave Devices JDCD03-001-001 2-inch SiC substrate P-level 4H-N/SI260μm±25μm for power devices and microwave devices Overview Key features Optimizes targeted performance and total cost of ownership for next generation power elec... Visualizza di più
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Cina Substrato SiC da 2 pollici 350μm per elettronica di potenza impegnativa in vendita

Substrato SiC da 2 pollici 350μm per elettronica di potenza impegnativa

Prezzo: Negotiable
MOQ: Negotiable
Tempo di consegna: 3-4 week days
Marca: GaNova
Evidenziare:2 Inch SiC Substrate, Demanding Power Electronics 2 inch wafer, SiC Substrate 350um
P-Level 2-Inch SiC Substrate 4H-N/SI260μm±25μm For Demanding Power Electronics JDCD03-001-001 2-inch SiC substrate P-level 4H-N/SI260μm±25μm for power devices and microwave devices Overview High crystal quality for demanding power electronics As transportation, energy and industrial markets evolve, ... Visualizza di più
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